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首页> 文章搜索> 2SK208-O(TE85L,F)

搜索到 2SK208-O(TE85L,F) 的相关文章 共 10000 +条

  • 【新品播报】HOLTEKC/R-F微控制器家族再添生力军HT45R35

    HOLTEK为扩大感测型MCU的应用层面，C/R-F微控制器家族再增加一成员HT45R35。C/R-F功能的实现是透过内建在MCU内部的振荡器电路与定时器来完成。HT45R35的ROM为2k*14、RAM为120Bytes、I/O最多为16埠，除此之外HT45R35更提供了12个信道的C/R-F功能，其中有8

    关键词：

    274 08-10

  • 【技术资讯】数字机顶盒开机后无任何指示

    　　打开机壳，检查滤波电容(47μF/450V)，用万用表测量电容两端，有电压指示，再测量开关电源调整管，也有振荡电压，最后测量开关电源稳压输出端，三组电压分别为-4V、+lOV、+O．9V，正常时应分别为用万用表电阻挡测量整流二极管正常，拆下整流滤波电容(471μF/45

    关键词：

    435 08-10

  • 【技术资讯】HOLTEKC/R-F微控制器家族再添生力军HT45R

    　　HOLTEK为扩大感测型MCU的应用层面，C/R-F微控制器家族再增加一成员HT45R35。C/R-F功能的实现是透过内建在MCU内部的振荡器电路与定时器来完成。HT45R35的ROM为2k*14、RAM为120 Bytes、I/O最多为16埠，除此之外HT45R35更提供了12个信道的C/R-F

    关键词：

    543 08-10

  • 【新品播报】2CC13A-F

    【用　途】 变容/电压调整管 【性能 参数】硅 Cj=30-11pF Cj1/Cj2=2-3 Q=250-300 【互换 兼容】

    关键词：

    483 08-10

  • 【新品播报】3DG3A-F

    【用　途】 高频小功率管 【性能 参数】硅 NPN 100V 200mW 10MHz β＞25 【互换 兼容】

    关键词：

    258 08-10

  • 【新品播报】ME8N06E-F

    【用　途】 MOS场效应开关/功率放大管 【性能 参数】N沟 60V 8A Ron=0.15Ω 【互换 兼容】

    关键词：

    417 08-10

  • 【新品播报】ME6N10-F

    【用　途】 MOS场效应开关/功率放大管 【性能 参数】N沟 100V 6A Ron=0.25Ω 【互换 兼容】

    关键词：

    370 08-10

  • 【新品播报】ME4P06-F

    【用　途】 MOS场效应开关/功率放大管 【性能 参数】P沟 60V 4A Ron=0.6Ω 【互换 兼容】

    关键词：

    479 08-10

  • 【新品播报】ME15N06E-F

    【用　途】 MOS场效应开关/功率放大管 【性能 参数】N沟 60V 15A Ron=0.15Ω 【互换 兼容】

    关键词：

    440 08-10

  • 【新品播报】2SK33-F

    【用　途】 场效应调频/甚高频管 【性能 参数】N沟 20V 10-20mA 0.15W 【互换 兼容】

    关键词：

    395 08-10

  • 【新品播报】UPD6307G-F

    【用　途】 【性能 参数】【互换 兼容】

    关键词：

    379 08-10

  • 【新品播报】STPR1510D-F

    【用　途】 【性能 参数】【互换 兼容】

    关键词：

    307 08-10

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