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V形圈的自封作用。在自由状态下V形圈的唇部外径发育填料腔的内径,唇的内径小于活塞杆的外径(图5-16A).这样,装配后便有一定的变形。较高的内压能使唇尖改变接触状态和加大接触应力,使唇部与杆贴合的更紧密,介质就难通过,即使通过了第一道V形圈的唇部,压力就会降低很多,再通过第
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681 08-10
会影响恒流输出特性,也就是说,输出电流会随负载变化,而其他几种电路中电阻的误差只会影响输出电流的值,而不会影响输出特性如果输出电流大,或者嫌三极管的集电极电流和发射极电流不相等,可以把三极管换成MOSFET.六种V/
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792 08-10
年2月2日 – 应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN) 扩充N沟道功率MOSFET系列,新增12款100伏(V)安森美半导体这些100 V功
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294 08-10
VOLTRON V-1501型显示器电源电路图如下所示:欢迎转载,信息来源维库电子市场网(www.dzsc.com)来源:与你同行
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160 03-30
VCC:当然是主要的供电正端了 VDD:........同上........ VCC,C=circuit ,线路的意思,指连接到一个完整电路的电源输入正端,VDD,D=device,应该说是连接到元件的意思,如:指某IC的工作电压,不排除部分IC同时接VCC、VDD VSS:地、负电源端、公共点,S=series, VEE:...同上...都有GND的意思(ground) 也有这样理解的
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143 05-13
该电路产生一个非常高的电压,必须谨慎使用,以防止电击。变压器可以产生超过1000V和8级倍压器,可以生产多达20KV直流高压电。
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1863 10-25
I1=(10~20)IB (锗管) VB=(3~5)V (硅管) VB=(1~3)V (锗管) I1=(5~10)IB (硅管)I1=(10~20)IB (锗管)VB=(3~5)V (硅管)VB=(1~3)V (锗管)
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164 09-30
电路功能与优势 图1所示电路监控系统中的电流,可在高达+500 V的正高共模直流电压下工作,且误差小于0.2%。负载电流通过一个电路外部的分流电阻。1:高共模电压电流监控器(未显示所有连接和去耦) 与外部PNP晶体管配合使用时, AD8212 能在具有大于500 V的正高共模电压情况下,精确放大小差分输
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542 08-10