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【技术资讯】美光推出高性能低功耗移动DDR2内存

美光的移动LPDDR2产品组合包括512兆位（Mb）和1Gb的芯片，可用于4Gb的解决方案。

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656 08-10

【解决方案】NI多通道测试解决方案

采用PXI万用表，扩展512路矩阵板卡来实现4线制测量电阻；采用通道间隔

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1211 08-10

【电路图】基于矩阵架构的大规模平行处理器

这种新型处理器是细粒度SIMD（单指令多数据）类型的大规模平行可编程器件,它具有以下的结构特点：基本配置为2位处理单元（PE）和作为专用数据寄存器的512位SRAM;2048个PE和总共1Mb的SRAM

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918 08-10

【电路图】低功耗可编程传感器信号处理器TSS400-S1／S2的典型应用电路图

外部存储器使用两片512字节的24C04型E2PROM。虚线框内表示硅压力传感器。通过温度补偿软件可获得测量精度与12位ADC相当的压力值。

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883 08-10

【技术资讯】见怪不怪专家解析数据块常见误区

部分问题是，当存储人员一听到“块”的时候，他们首先想到的是512字节的SCSI(小型计算机系统接口)块，并认为只迁移、复制和存储那些发生改变的块才是有效率的方式

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186 08-10

【技术资讯】彻底删除硬盘分区方法如何删除硬盘分区(图文教程

低级格式化的作用是将空白的磁片划分一个个同心圆、半径不同的磁道，还将磁道划分为若干个扇区，每个扇区的容量为512字节。在这里要说明的是，低级格式化是

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589 04-14

【新品播报】三星发布新型记忆芯片手机反应速度增5倍_模拟技术

512兆的OneDRAM芯片可以只用一个芯片来完成原先两个处

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151 04-27

【技术资讯】【电子之家解读】三星宣布全球首发量产512GB eUFS闪存

eUFS采用了三个三星最新的64层512千兆(Gb)V-NAND芯片和一个控制器芯片。为了最大限度发挥512GB?eUFS的性能和能源效率，三星推出了一套新的独家技术。三星512GB?

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250 03-21

【技术资讯】台湾ProMOS公司加大300毫米晶圆产能

ProMOS公司的总裁M.L.Chen说，“这个新的300毫米DRAM工厂是台湾第一家应用90纳米工艺大量生产512-MbDDR1和DDR2产品的工厂。”

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885 08-10

【技术资讯】Intel推出新型堆叠内存

使用这款新的芯片组存贮器，手机制造商可以在年内实现手机具有512兆闪存与其他存贮芯片的组合性能，明年可实现1G的闪

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1148 08-10

【技术资讯】英特尔28日发布新款65纳米赛扬D 挑战AMD

但赛扬D为单内核CPU，具备512兆二级缓存，支持533MHz前端数据总线。据此前报道，英特尔此次将推出赛扬D352和356两个型

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1015 08-10

【技术资讯】低功耗芯片上服务器难道是大势所趋

上周一条关于SeaMicro公司将英特尔Atom芯片放入服务器的消息发出后，立即引起了我的关注，Atom芯片上服务器早已不是新鲜事，但有趣的却是它这款服务器竟然用了512颗英特尔凌动芯片。

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913 08-10

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