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关键词:
224 08-10
拆机检查,功率管IGBT(HT20R120)三脚击穿短路,整流桥完好,IGBT管谐振电容C3(MKP0.3μF/1200V)、+300V滤波电容C2(MKP4μF/400V)等其他元件均正常
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1685 08-10
打开机壳后,用三用表Rx100挡检测,发现保险管已烧断、IGBT管也击穿,用Rxlok挡检查滤波电容器C4(5μF/275V)、共振电容器C5(0.27μF/1200V),均正常。
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926 08-10
Vishay 的新型 298D MicroTan™ 表面贴装电容器在 16V 时电容值为 1µF,在 4V 时为 47µF,并且具有 0603
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224 08-10
Mobile Panel 277F 是安全型无线移动面板,S7-317F是安全型控制器,Mobile Panel 277F 只能和F型 plc通讯,通讯失败时会出现下图的报警画面:按下Yes,系统退出到其它类型SIMATIC 面板也能和F
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363 10-10
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966 08-10
RamtronInternationalCorporation宣布已与IBM达成代工服务协议,两家企业计划在IBM位于美国佛蒙特州伯灵顿市的先进晶圆制造设施内增设Ramtron的F-RAM半导体工艺技术,一旦安装完毕,这一新代工服务将成为Ramtron推出高成本效益的新型高性能F-RAM半导体产品的基础。Ramtron首席运营官BobDjokovich称:“我们期望通过与IBM的代工合作,增加生产能力,帮助满足市场对Ramtron独有的F-RAM半导体产品不断增长的需求。全新的世界级代工厂
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703 08-10
RamtronInternationalCorporation推出业界首款2兆位(Mb)串行F-RAM存储器,采用8脚TDFN(5.0x6.0mm)封装。FM25H20采用先进的130纳米(nm)CMOS工艺生产,是高密度的非易失性F-RAM存储器,以低功耗操作,并备有高速串行外设接口(SPI)。该3V、2Mb串行F-RAM器件以最大的总线速度写入,具有几乎无限的耐用性,通过微型封装提供更大的数据采集能力,使系统设计人员能够在计量和打印机等高级应用中减少成本和板卡空间。
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314 08-10