【电路图】7 ''to 15''LCD

【技术资讯】传苹果iMac或已克服产能问题 本季度将快速增长

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【电路图】供暖系统温控器电路

1/4W Resistor R7,R9 4K7 1/4W Resistors R8 470K 1/4W Resistor R10 10K 1/4W Resistor C1,C2 470µF25V Electrolytic Capacitors C3 1µF 63V Electr

【技术资讯】罗姆推出更宽电压输入串并口F-RAM存储器

世界领先的低功耗铁电存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商RamtronInternationalCorporation(简称Ramtron)发布W系列F-RAM存储器，W系列器件带有串口I2C

【技术资讯】九阳JYC-21CS3电磁炉多次爆机

经仔细检查，保险管FUSE1已烧断，IGBT管已击穿，用数字万用表测量C4（0.3μF／800V）容量变为O.05μF，整流桥堆DBl已变值、漏电；进一步检查，发现R300（4.7k&Omega

【电路图】自制彩电行频探头

图中，L≈2．5mH、C ≈O．01μF，其F=1／2πLC／≈32kHz。微调L的磁芯使F=31．25kHz，就可探测倍频扫描的行频2fH(2×15．625kHz=31 25kHz)。当被测信号的频

【新品播报】Vishay发布用于DC-Link应用的薄型聚丙烯薄膜电容器

（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出用于DC-link应用的新款高性能镀金属直流聚丙烯薄膜电容器---MKP1848S，该器件采用薄型设计，具有业界最宽的CV范围，包括2µF～100µF的容量，以及500VDC、700VDC和1000VDC的电压等级。

【解决方案】串联谐振电路分析实例 -解决方案-华强电子网

(2)当f-f0=10KHz,为保证I>0.8I0,应串入多大电阻?解:(1) (2)写出电流幅度表达式 将f=610KHz时,I=0.8(U/r)带入上式得: 设要串入的电阻值为r 实例2已知串联谐振电路中，L=1mH, QL=200 , C=160pF

【技术资讯】Ramtron推出V系列并口256Kb F-RAM器件FM2

世界顶尖的非易失性铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出新型V系列串口和并口F-RAM产品之第二款并口器件FM28V020与其它V系列F-RAM一样，具有较高的读写速度和较低的工作电压，其容量为256Kb、工作电压为2.0至3.6V，并采用业界标准28脚SOIC封装，具有快速访问、无延迟(NoDelay)

【技术资讯】Ramtron推出带有集成F-RAM存储器的事件数

　　非易失性铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出基于F-RAM的事件数据记录仪 (EDR) --FM6124，这是集成式的事件监控解决方案，能够连续监控状态的变化，将数据存储在F-RAM中并向系统提出有关变化的报警。

【新品播报】Ramtron出货使用新IBM生产线制造的F-RAM样片

作为世界领先的低功耗铁电存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商，RamtrON近期宣布，现在已经可广泛提供在新IBM公司生产线上制造的首批预验证铁电存储器(F-RAM)样片。Ramtron的F-RAM产品具有非易失性RAM存储性能、无延迟(NoDelay)写入、高读/写耐用性及低功耗特性。FM24C04C和FM24C16C采