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【解决方案】Vishay 推出采用 Int-A-Pak 封装且具有 75A～200A 高额定电流的新系列半桥 600V 及 12

ga100ts60sfpbf和ga200hs60s1pbf采用标准穿通 (pt) igbt 技术，而ga200ts60upbf、ga75ts120upbf及 ga100ts120upbf器件采用可实现更紧参数分布及高效率的第

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288 08-10

【技术资讯】Vishay发布新系列半桥IGBT模块，包含八个

GA100TS60SFPbF和GA200HS60S1PbF采用标准穿通(PT) IGBT技术，而GA200TS60UPbF，GA75TS120UPbF及GA100TS120UPbF器件采用可实现更紧参数分布及高效率的第

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619 08-10

【技术资讯】Vishay推出采用Int-A-Pak封装具有75A～20

GA100TS60SFPbF 和GA200HS60S1PbF采用标准穿通 (PT) IGBT 技术，而GA200TS60UPbF、GA75TS120UPbF 及 GA100TS120UPbF器件采

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702 08-10

【新品播报】Vishay推出采用Int-A-Pak封装具有75A～200A高额定电流新系列半桥600V及1200V IGBT模块

GA100TS60SFPbF和GA200HS60S1PbF采用标准穿通(PT)IGBT技术，而GA200TS60UPbF、GA75TS120UPbF及GA100TS120UPbF器件采用可实现更紧参数分布及高效率的

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361 08-10

【新品播报】新系列半桥600V及1200V IGBT模块（Vishay

GA100TS60SFPbF和GA200HS60S1PbF采用标准穿通(PT)IGBT技术，而GA200TS60UPbF、GA75TS120UPbF及GA100TS120UPbF器件采用可实现更紧参数分布及高效率的第

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484 08-10

【新品播报】Vishay 推出新系列半桥绝缘栅双极型晶体管 (IGBT

GA100TS60SFPbF和GA200HS60S1PbF采用标准穿通(PT)IGBT技术，而GA200TS60UPbF、GA75TS120UPbF及GA100TS120UPbF器件采用可实现

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352 08-10

【技术资讯】Vishay发布新系列半桥IGBT模块，包含八个600V及1200V器件

GA100TS60SFPbF和GA200HS60S1PbF采用标准穿通(PT)IGBT技术，而GA200TS60UPbF，GA75TS120UPbF及GA100TS120UPbF器件采用可实现更紧参数分布及高效率的第

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633 08-10

【技术资讯】Vishay推出新系列半桥600V及1200V　IGBT模块

GA100TS60SFPbF和GA200HS60S1PbF采用标准穿通(PT)IGBT技术，而GA200TS60UPbF,GA75TS120UPbF,及GA100TS120UPbF器件采用可实现更紧参数分布及高效率的第

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799 08-10

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