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【用 途】 语音合成芯片【性能 参数】采用28脚双列直插封装。工作电源为单一正5V电源供电,静态工作电流为l0&mICro;A,工作电流为25mA。 内部含EEPROM,可以随时录音,随时放音,断电后语音长期保留。语音记录时间为16s,还可以多片串联以增加录放时间。 可以分段录音放音,
关键词:
274 08-10
【用 途】 普通用途场效应管 【性能 参数】N沟 40V 0.08-0.24mA 0.3W 【互换 兼容】
350 08-10
【用 途】 桥式整流硅堆 【性能 参数】硅 25-200V 5A Vf=1.2V Lfsm=80A 【互换 兼容】
260 08-10
【用 途】 混频二极管 【性能 参数】硅材料肖特基势垒 4.2GHz L=4dB 【互换 兼容】
276 08-10
【用 途】 混频二极管 【性能 参数】硅 5.5GHz 【互换 兼容】
164 08-10
【用 途】 混频二极管 【性能 参数】硅材料肖特基势垒 9.375GHz L=4dB 【互换 兼容】
287 08-10
【用 途】 混频二极管 【性能 参数】砷化镓 5.5GHz L=4dBs 【互换 兼容】
281 08-10
【用 途】 普通用途场效应管 【性能 参数】N沟 40V 0.5-7.5mA 0.5W △=0.95-1 △Vgs=10mA 【互换 兼容】
536 08-10
【用 途】 场效应开关/斩波/限幅/对称类管 【性能 参数】N沟 30V 50mA 0.36W 9/25ns Ron=25Ω 【互换 兼容】
349 08-10
【用 途】 场效应配对管 【性能 参数】N沟 50V 0.7-7mA 0.5W △=0.95-1 △Vgs=15mV Nf<0.5d【互换 兼容】
437 08-10
【用 途】 场效应开关管 【性能 参数】N沟 25V 30mA 0.3W 5/36ns Ron=10Ω 【互换 兼容】
450 08-10
【用 途】 普通用途场效应管 【性能 参数】P沟 40V 4-16mA 0.31W Nf<2.5dB 【互换 兼容】
476 08-10