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小编发现,近日有不少热心网友在网络上问到了一个这样比较有代表性的问题:关于E3和i5处理器哪个好?E3和i5哪个好 i5与E3处理器对比在目前中高端主流装机中,选用最多的是i5和E3处理器,其中散片i5和E3-1230价钱差不了多少,但E3性能却比i5强不少。从天梯图看,E3性能
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11012 05-10
随着Intel六代Skylake处理器上市,目前六代代E3-1230 v5与i7 6700k新高端处理器都已经上市,不过E3-1230 v5神U只能支持C232芯片(X150)的主板,不支持六代100系列主板那么,E3-1230v5与i7-6700k哪个好呢?下面小编为大家带来了E3-1230 V5和i7-6700K对比,看看六代i7 6700K和E3-1230 v5都有
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262 05-10
【用 途】 功率场效应管【性能 参数】N沟 500V 12A 36W RDS(on)=0.555 带阻尼【互换 兼容】F12N50C-E3
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399 08-10
【用 途】 功率场效应管【性能 参数】N沟 500V 12A 208W RDS(on)=0.555 带阻尼【互换 兼容】SiHB12N50C-E3
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338 08-10
【用 途】 功率场效应管【性能 参数】N沟 500V 12A 208W RDS(on)=0.555 带阻尼【互换 兼容】B12N50C-E3
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392 08-10
将器件尺寸扩展到0406和1225,为汽车电路提供增强的热循环性能,功率提高到2.0WVishay 推出采用0406和1225外形尺寸的新器件--- RCL0406 e3和RCL1225 e3,扩充其RCLe3系列长边端接厚膜片式电阻。对于汽车电子电路和通用产品,RCL0406 e3和RCL1225 e3提供了增强的热循环性能,功率等级分别提高到0.25W和2.0W。 2014-7-2 13:1
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265 08-10
更高端的“xeon e3-1290”又被迅速曝了出来。日本厂商japan computing systems近日针对xeon e-1200/core i3-2100系列鸿喜电子面向入门级单路服务器与工作站的xeon e3-1200系列处理器刚刚发布,新款高端型号就曝光了
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331 08-10
(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出高稳定性薄膜片式电阻的实验室样品套件---TNPW0402 e3(LTW0402 e3 96/4)和TNPW0603 e3 (LTW0603 e3 96/4),它们可帮助工程师开发原型
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299 08-10
Vishay推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3,该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的
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447 08-10
【用 途】 低压差线性稳压电路【性能 参数】采用USPQ-4B03 4脚封装,工作电压范围1.6V ~5.5V。输出电压 1.3V(±20mV),输入输出电压差200mV [IOUT=300mA,(VOUT=3.0V)]。最大耗散功率 100mW。最大输出电流 300mA,CE高电平有效,内置有浪涌电流保护电路,CE下拉电阻及CL放电电阻。其内部包含一个基准电源,一个误差放大器,一个
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116 04-15
(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3,该MOSFET在10V
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291 08-10