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据日经BP社报道,NEC与NEC电子共同开发了32nm工艺以后的高速大容量内存混载SoC(systemONachip)的低成本制造方法。该技术可以以1种金属栅极,实现逻辑与部分内存必需的3种阈值电压。
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430 08-10
端子包括短脚、长脚、控制端之字形、两端之字型4种日经BP社2006年5月25日报道三菱电机日前开发出了将过去独立的IGBT和逆导二极管集成于单芯片的功率半导体“RC-IGBT”,准备将它与控制IC配备到一起推出功率半导体模块
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505 08-10
日经BP社2006年8月4日报道瑞萨科技开发出了容量变化比扩大的小型可变容量二极管“RKV653KP”。给二极管加上1V的反向电压以及加上3V的反向电压时,显示静电容量比的容量变化比高达2.7。
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347 08-10
据日经BP社报道,日本光学设备厂商奥林巴斯将从2007年7月25日开始上市支持300mm硅晶圆检查及分析的半导体自动检查显微镜“MX61A”。
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588 08-10
据日经BP社报道,早稻田大学发布了能够利用硅通孔(TSV)布线以低成本制造三维积层LSI的工艺。该工艺由早大大学院先进理工学研究科庄子研究室开发,日本IBM东京基础研究所也予以参与。
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298 08-10
日经BP清洁能源研究所预测,到2030年,该市场规模有望累计达到约1000万亿日元。这一预测结果,是在《世界智能城市总览·业务和服务篇》所提供数据的基础上,对目前领先发展的领域及对
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400 08-10
内容预览:利用人工神经网络中的二级BP网,模拟智能机器人的两控制参数(左、右轮速)间的函数关系,实现避障轨迹为圆弧或椭圆弧的轨迹控制,并且通过调整椭圆长、短轴大小、能实现多个及多层障碍物的避障控制,该方法的突出特点是方法简单
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405 08-10
据日经BP报道,松下研发出用于电源和马达控制的新一代半导体,将于2016年春季在日本国内企业中率先量产。新一代半导体采用氮化镓(GaN),能将耗电量控制在原来一半左右。
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2696 08-10
据日经BP报道,松下研发出用于电源和马达控制的新一代半导体,将于2016年春季在日本国内企业中率先量产。新一代半导体采用氮化镓(GaN),能将耗电量控制在原来一半左右。
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181 08-10
电路见图,瞬时掉电保护电路中R509、PC401为关键性器件。正常时,在R301两端应有2.8V左右电压,否则为瞬时掉电或R509开路、PC401坏,此时外机无反应。
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473 08-10
通电开机,设定为制热状态,压缩机工作一会儿停机,室内机面板上高效灯、运行灯灭、定时灯闪,查长虹维修手册为室内盘管温度传感器故障。卸下室内机面板,拔下室内机盘管热敏电阻,测其阻值为2kΩ(20℃时),正常情况下约为7kΩ,由此导致微处理器误判为室内盘管温度过高控制停机。更换同型号室内盘管温度传感器,通电试机,故障排除。 总结与提高:该空调制冷运转正常,而制热运转有故障,说
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548 08-10