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一、V/U段J”形及折合天线的制作 V/U段电波是直线传播(也称视距传播)。传播效果与天线的高度有直接关系,所以我们一般把V/U段天线架设在
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6916 08-10
构建基于国家集成电路LM2586 直流电压倍增器电路。电路将12VDC的输入电压增加一倍,成为 24VDC。该电路的散热器需要。 LM2586是专为反激式,步升(升压),并正向转换器应用而设计的一个单片集成电路。该装置可在4个不同的输出电压版本:3.3V,5.0V,12V,和可调。
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2832 08-10
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 近日推出一系列25 V及30 V器件,采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅器件和新款高性能PQFN 3 x 3封装,
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223 08-10
Altera公司日前宣布,开始发售其28-nm Arria® V FPGA。Arria V器件是目前市场上支持10.3125-Gbps收发器技术、功耗最低的中端FPGA。Arria V器件是公司于2011年上半年发售Stratix® V系列产品之后发售的另一28-nm系列产品,表
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553 08-10
为工业负载点应用提供高密度解决方案全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出一系列25 V及30 V器件,采用了IR最新的HEXFET
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385 08-10
德州仪器推出针对 3 ghz dsp 系统的 10 a、4.5 v-14 v 输入电压电源模块: pth08t240f 是一种 10 a 额定电流的高性能非隔离式电源模块,可满足 3 ghz dsp 系统的超快瞬态响应要求该器件的输入电压范围在 4.5 v-14 v 之间,只需单个电阻器就可将输出电压设置为 0.69 v-2 v 范围内的任意值。该器件主要用于无线基础局端基站。 特性: 高达
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285 08-10
森美半导体MOSFET产品分部副总裁兼总经理PaulLeonard说:“推出这些器件系列仅是安森美半导体进军高压功率MOSFET市场的第一步。我们战略性地进入了高压开关市场,提供充沛的500V到600V负载开关方案选择,更好地服务我们客户的总体电源管理需求。未来我们将继续扩充高压功率MOSFET产品阵容,为消费及工业客户提供针对性的方案。这些新器件的推出是安森美半导体不断加强其业界领先高能效电源方案供应商地位的又一实例。”安森美半导
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677 08-10
新兴测量需求解决方案的领导者吉时利仪器|仪表公司(NYSE:KEI),宣布为其功能强大的4200-SCS半导体特性分析系统新增一套C-V测量功能——4200-CVU。
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832 08-10