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首页> 文章搜索> PCM-10560-4

搜索到 PCM-10560-4 的相关文章 共 10000 +条

  • 【技术资讯】恒忆Omneo 相变存储器量产 PCM时代或已到来

    日前，恒忆召开媒体发布会，发布其全新系列相变存储器产品，该系列产品采用被称为相变存储(PCM)的新一代存储技术，具有更高的写入性能、耐写次数和设计简易性，适用于固线和无线通信设备、消费电子、PC和其他嵌入式应用设备PCM原理PCM的原理是利用硫族化合物在晶态和非晶态之间相互转化时所表现出来的导电性差异来测量电阻而读取数据，储存数据则通过加热的方式改变硫族化合物的状态实现。由于其纪录方式是单纯的物理变化，没有

    关键词：

    1430 08-10

  • 【新品播报】MC145502P

    【用　途】 PCM编译码/滤波电路 【性能 参数】双列22脚封装,电源电压=-0.5～13V,典型功耗=50mW,省电时=0.1mW。

    关键词：

    225 08-10

  • 【新品播报】MC145505L

    【用　途】 PCM编译码/滤波电路 【性能 参数】双列16脚封装,电源电压=-0.5～13V,典型功耗=50mW,省电时=0.1mW。

    关键词：

    200 08-10

  • 【新品播报】MC145502FN

    【用　途】 PCM编译码/滤波电路 【性能 参数】双列28脚封装,电源电压=-0.5～13V,典型功耗=50mW,省电时=0.1mW。

    关键词：

    323 08-10

  • 【新品播报】MC145500

    【用　途】 PCM编译码/滤波电路 【性能 参数】双列16脚封装,电源电压=-0.5～13V,典型功耗=50mW,省电时=0.1mW 。

    关键词：

    339 08-10

  • 【新品播报】MC145505

    【用　途】 PCM编译码/滤波电路 【性能 参数】双列16脚封装,电源电压=-0.5～13V,典型功耗=50mW,省电时=0.1mW。

    关键词：

    208 08-10

  • 【新品播报】MC145503L

    【用　途】 PCM编译码/滤波电路 【性能 参数】双列16脚封装,电源电压=-0.5～13V,典型功耗=50mW,省电时=0.1mW。

    关键词：

    247 08-10

  • 【技术资讯】(*)恒忆Omneo系列相变存储器耐写次数高达100万次

    关键字：相变存储器PCM高密度存储技术恒忆近日，恒忆(Numonyx)作为相变存储技术(PCM)的创新者，宣布正式推出全新系列相变存储器。该系列产品采用被称为相变存储(PCM)的新一代存储技术，具有更高的写入性能、耐写次数和设计简易性，适用于固线和无线通信设备、消费电子、PC和其他嵌入式应用设备。目前该产品已经量产，并向市场供货。

    关键词：

    888 08-10

  • 【技术资讯】Numonyx与Intel 开发堆叠式交叉点相变化内存技术

    Numonyx与Intel开发堆叠式交叉点相变化内存技术NumonyxB.V.与IntelCorporation宣布相变化内存(PCM)研究的关键性突破，此项非挥发性内存技术结合了现今多种类型内存的优点研究人员也首度展示可于单一芯片堆叠多层PCM阵列的64Mb测试芯片。对于随机存取非挥发性内存及储存应用而言，此一成果也为发展容量更高、功耗更低且体积更小的内存装置奠定重要基础。此为Numonyx与Intel长期合作研究的成果，该计划着重于研究多层式或堆叠式PCM

    关键词：

    1112 08-10

  • 【新品播报】HC-5560

    【用　途】 PCM代码转换电路 【性能 参数】双列16脚封装,工作电压=5V,静态电源=100uA,工作电流=10mA。

    关键词：

    217 08-10

  • 【新品播报】应用于电磁炉(灶)绝缘栅双极晶体管(IGBT)的参数要求

    应用于电磁炉(灶)的IGBT管应选取BVceo≥1000V、ICm≥7A、PCM≥100W、β≥40的。才能保证其在电路上胜任。

    关键词：

    460 08-10

  • 【新品播报】MC145502

    【用　途】 PCM编译码/滤波电路 【性能 参数】双列22脚封装,电源电压=-0.5～13V,典型功耗=50mW,省电时=0.1mW。

    关键词：

    259 08-10

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