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今年令人激动的技术终于由intel得以宣布最新进度,intel方面表示,用来替代当前NAND闪存技术的全新PCM(phasechangememory,相位变换存储)芯片即将进入全面的量产化阶段,并且intel公司目前已经可以提供PCM闪存芯片的样品。Sandisk刚刚发布有别于当前标准NANDflash闪存芯片存储密度的新技术,不过intel方面则在接下来没有多久的时间内发布消息表明,PCM闪存芯片的样品已经开始出货给特定的合作客户,首批出货样品采用
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902 08-10
在恒忆(Numonyx)尚未成立之时,Intel等公司就先后发表演说,大力进行PCM(相变存储器)技术的宣传。PCM,实际上就是利用硫族化合物在晶态和非晶态之间相互转化时所表现出来的导电性差异来测量电阻,从而读取数据的,而储存数据则采用通过加热方式改变硫族化合物的状态。不过由于材料、制程工艺及功耗的原因,PCM一直未能成功进入商用领域。可以看到,读写操作都是通过电流来衡量,功耗相对于其他存储产品来说能够节约不少首款嵌入式
关键词:
565 08-10
恒忆相变存储器(PCM)前期体验项目(EAP)是专为有兴趣体验相变存储器技术的系统设计人员和软件工程师推出。立即下载该项目概述。由于现有存储器技术如RAM、闪存和EEPROM 上市较早,因此在设计中采用这些技术是理所当然的,而PCM是一款新型存储器,在具体设计使用其之前应进行评估。PCM所具备的创新技术特性能使您开发出
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264 08-10
Flash大厂恒忆(Numonyx),加入NOR Flash产品线,除有助于美光未来抢占MCP领域市占率外,原本恒忆和母公司英特尔(Intel)合作开发的相变化内存(Phase-Change Memory;PCM)技术,将成为这桩亲事的最大嫁妆,美光将因此跻身全球PCM技术阵营,与三星电子(Samsung Electronics)、IBM、旺宏共
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477 08-10
三极管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放除夜系数特征频率管子类型901150V0.03A0.4W*150MHzNPN901250V0.5A0.6W**PNP901350V0.5A0.6W**NPN901450V0.1A0.4W
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2730 08-10
序号型号Pcm[W]Icm[A]Vceo[V]fT[MHz]封装用途说明生产厂商数据手册0012SA8570.50.5150140TO-92TV-VAPNPNIP0022SA928A0.25120TO-
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2194 08-10