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(1)NMOS反相器设电源电压VDD = 10V,开启电压VT1 = VT2 = 2V1、A输入高电平VIH = 8V T1、T2均导通,输出为低电平VOL ≈0.3V2、A输入低电平V IL = 0.3V时, T1截止T2导通,电路输出高电平VOH = VDD - VT2 = 8V。 故 电路执行逻辑非功能 (2)NMOS门电路工作原理1、当两个输入端A和B均为高电平时 T1和T2都导通,
关键词:
472 10-01
充电时,将USB插入PC机的USB接口,此时USB的①、④脚会有+5V的输出电压,该电压通过限流电阻R1送到晶体管T1的发射极。T1是PNP型管,它与外围相关电路组成恒流源,T1的集电极通过隔离二极管Dl对镍氢电流(+2.4V)进行充电。电路中的R2和LED1是为T1基极提供固定的偏置电
关键词:
490 08-10
T1、T2组成功率放大电路,其轮流导通,在X2的原边形成频率为50Hz的脉动电流,并在X2的副边感应出同样频率的220伏电压。制作时,X2可使用带中心抽头的(9-12伏)电源变压器,其低压端接T1、T2,中心抽头接电源正极。变压器功率由实际需要定,并要考虑T1、T2的功率,需要在T1,T2上
关键词:
1402 08-10
如果增加一只三极管,在正常情况下,t1的基极电位为0,t1截止,对电路无影响;而当w1接触不良时,t1的基极电位上升,当升至0.7v时,t1导通,将lm317t的调整端电压降低,输出电压也降低,从而对负载起到保护作用
关键词:
583 08-10
如果增加一只三极管(如下图所示),在正常情况下,T1的基极电位为0,T1截止,对电路无影响;而当W1接触不良时,T1的基极电位上升,当升至0.7V时,T1导通,将LM317T的调整端电压降低,输出电压也降低
关键词:
359 08-10
用万用表测试双向晶闸管的好坏,首先要分清双向晶闸管的控制极G和主电极T1和T2。把万用表拨在R×1或R×10挡,黑表笔接T2,红表笔接T1,然后将T2与G瞬间短路一下,立即离开,此时若表针有较大幅度的偏转,并停留在某一位置上,说明T1与T2已触发导通;把红、黑表笔调换后再重复上述操作,如果T1、T2仍维持导通,说明只双向晶闸管好的,反之则是坏的。
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175 09-30
T1是多发射极晶体管,可把它的集电结看成一个二极管,而把发射结看成与前者背靠背的几个二极管,如下图所示。这样,T1的作用和二极管”与“门的作用完全相似。其工作原理以及逻辑功能。其逻辑功能为: Y=1)输入端不全为“1“的情况 当输入端中有一个或几个为“0“(约为0.3V)时,则T1的积极与”0“态发射极间处于正向偏置。这时电源通过R1为T1提供基级
关键词:
261 10-01
接通电源后,C1会有300V左右的直流电压,通过R2给Q1的基极提供电流,Q1的发射极有R1电流检测电阻R1,Q1基极得电后,会经过T1的(3、4)产生集电极电流,并同时在T1的(5、6)(1、2)上产生感应电压,这两个次级绝缘的圈数相同的线圈,其中T1(1、2)输出由D7整流、C5滤波后通过USB座给负载供电;其中T1(5、6)
关键词:
3675 10-25
双向可控硅也有三个极,巳Ij控制饭G与第一阳极T1、第二阳极T2。实际上T1与T2是可互换使用的。双向可控硅的符号基本检测方法如上图所示。 1、极性判别 T1极与G极的判别:用万用表Rx10挡分别测量各极之间的正、反向电阻,如果发现某两个极之间的正、反阳电阻都很小(约150ll左右),则这两个极是T1与G极。
关键词:
1766 08-10
用万用表测试双向晶闸管的好坏,首先要分清双向晶闸管的控制极G和主电极T1和T2。把万用表拨在R×1或R×10挡,黑表笔接T2,红表笔接T1,然后将T2与G瞬间短路一下,立即离开,此时若表针有较大幅度的偏转,并停留在某一位置上,说明T1与T2已触发导通;把红、黑表笔调换后再重复上述操作,如果T1、T2仍维持导通,说明这只双向晶闸管是好的,反之则是坏的。
关键词:
586 08-10
锤子手机T1趁着520表白日之际发布一周年纪念版啦!今日,各大手机品牌纷纷推出各种活动来响应520这个特殊的日子,而锤子科技也没闲着,趁热打铁的推出了锤子手机T1一周年纪念版。下文小编就为大家奉上锤子手机T1一周年纪念版购买地址,感兴趣的小伙伴一起跟小编去下文看看吧。 Smartisan T1一周年纪念版仅提供黑色款,相对普通版的主要区别是机身背盖Logo、包装腰封、包装盒以及配件盖的字样
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131 05-29
接通电源后,市电经整流桥堆整流、C5滤波.得到约300V直流电压.该电压通过启动电阻R11加到Q1的栅极,为Ql提供一个启动偏压,+300V电压又通过开关变压器T1的初级绕组加到Q1的漏极,从而使Q1开启导通.T1正反馈绕组上的感应电势通过C10、R9加到Q1的栅极与源极之间,使Q1迅速饱和.Q1的IDS线性增长时,T1储能,当T1磁通饱和时,正反馈绕组上的感应电势对C10充电,使Q1栅极电位
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189 08-24