让找料更便捷
电子元器件
采购信息平台
生意随身带
随时随地找货
一站式电子元器件
采购平台
半导体行业观察第一站
a):20000门极-源极雪崩电压vgss min (v):25输入电容ciss max (pf):3反向最大传递电容crss max (pf):7沟道极性:n封装/温度(℃):3to-92/-55~150
关键词:
348 08-10
A):15000门极-源极雪崩电压VGSS Min (V):30输入电容CISS Max (pF):4反向最大传递电容CRSS Max (pF):0.800沟道极性:N封装/温度(℃):3SOT23/-
关键词:
351 08-10
Q 表的电容器固定在 55 pf,测量的结果是:最大电感:550 KHz Q = 68 中间电感:745 KHz Q = 60 最小电感:2770 KHz Q = 30Q 表的电容器固定在 80 pf,
关键词:
935 08-10
美芯晟推出降压型简洁高PF恒流驱动芯片MT7873和MT7876,满足北美能源之星和中国CQC标准要求,BOM成本比单级有源高PF方案低0.6元,且纹波更小,支持18-20W最大功率。
关键词:
485 01-06
电容器储存电荷的能力,常用的单位是F、uF、pF。电容器上标有的电容数是电容器的标称容量。电容器的标称容量和它的实际容量会有误差。一般,电容器上都直接写出其容量,也有用数字来标志容量的,通常在容量小于10000pF的时候,用pF做单位,大于10000pF的时候,用uF做单位。没有小数点的,它的单位是pF,有小数点的,它的单位是uF。如有的
关键词:
3181 08-10
A):150000门极-源极雪崩电压VGSS Min (V):40输入电容CISS Max (pF):10反向最大传递电容CRSS Max (pF):3.500沟道极性:N封装/温度(℃):3SOT23
关键词:
314 08-10
图中显示了一个单刀双掷PF开关及其偏置电路。当设置妥当时,滤波L1/C2和L3/C4允许将控制信号施加于PIN二极体D1-D4,控制信号与PF信号的相互影响极少。这些元件允许频率相对较低的控制信号通过PIN二极体,但会阻止高频信号逃离PF信号路径。不正常的RF能量损耗意味着开关的插入损耗过高。电容C1、C2和阻止施加于二极体的直流偏置侵入RF信号路径中的电路。
关键词:
3934 08-10
A):60000门极-源极雪崩电压VGSS Min (V):25输入电容CISS Max (pF):7.500反向最大传递电容CRSS Max (pF):2.500沟道极性:N封装/温度(℃):TO-92
关键词:
342 08-10
这个耦合器适合于RE线取样,它对于需要一个线电流的间接测量的地方是有用的。一个10:1的圈数比产生一个1/10(理想的)线电流的次级电流。一个51Ω的电阻终止了这个次级。
关键词:
303 08-10
原因是电源电路STR6559旁一瓷片电容(1000 pF/l kV)烧焦。更换后正常。
关键词:
436 08-10