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按不同的控制方式,变频器可分为变频变压(U/f)控制、矢量控制(VC)和直接转矩控制3种类型。 1.变频变压控制(U/f) U/f控制即压频比控制。它的基本特点是对变频器输出的电压和频率同时进行控制,通过保持U/f恒定使电动机获得所需的转矩特性。这种方式控制成本低,多用于精度要求不高的通用变频器。
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780 09-30
一、 U/f恒定控制U/f控制是在改变电动机电源频率的同时改变电动机电源的电压,使电动机磁通保持一定,在较宽的调速范围内,电动机的效率,功率因数不下降。因为是控制电压(Voltage)与频率(Frequency)之比,称为U/f控制。恒定U/f控制存在的主要问题是低速性能较差,转速极低时,电磁转矩无法克服较大的静摩擦力,不能恰当的调整电动机的转矩补偿和适应负载转矩的变化; 其次是无法准确的控制电动
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210 10-20
DXI为2,610.83,下跌1.56(0.06%)台湾市场:今日的DRAM现货市场,DDRII整体价格持续缓缓下跌,市场动能不佳;而在DDRI的部份,现货供应不充裕,价格小幅度上扬,有些许的成交量。512Mb(64M*8)667MHz主流颗粒均价格约落在USD0.92。在uTT(eTT)DDR264M*8的部份,买气疲弱,需求未能延续,价格向下调整至USD0.77左右,交易量有限;而在uTT(eTT)DDR2128*8/800MHz的部份,价格小幅度下跌至USD1.73,无明显的交易量。在NANDFLASH的现货部
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571 08-10
RamtronInternationalCorporation推出并口F-RAM存储器FM14C88,适合RAID(磁碟阵列)存储服务器及主机总线适配卡(HBAcard)等应用。
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602 08-10
RamtronInternationalCorporation宣布推出全新并行和串行F-RAM系列中的首款并行产品,提供更高速的读/写性能、更低的工作电压和可选器件的特性。Ramtron的V系列F-RAM产品中的最新器件FM28V100,是1兆位(Mb)、2.0至3.6V的并行非易失性RAM,采用32脚TSOP-I封装,具备快速访问、无延迟(NoDelay)写入、几乎无限的读写次数和低功耗特性
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764 08-10
RamtronInternationalCorporation宣布提供采用最新FBGA封装的4兆位(Mb)F-RAM存储器。此外,Ramtron亦提供采用44脚TSOP封装的4Mb并口F-RAM产品。产品特点F
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762 08-10
爱立信CDU-G、CDU-F精解 CDU是合并与分配单元,是收发信机(TRU)和天线系统之间的接口。CDU可以让多个TRU共享天线。
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1210 08-10