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本教程分享win7系统取消折叠组的详细步骤,很多用户说电脑F盘上的所有文件折叠也一个组了,想要取消折叠组,但是不知道取消折叠组。其实win7系统取消折叠组的步骤很简单,下面一起来看下解决方法吧。 解决方法如下: 1、文件夹的折叠组;现在要把这折叠组取消; 2、光标在F盘菜单栏上顺序点击:查看-分组依据; 3、在“分组依据”下拉的菜单中点“无”; 4、F盘的折叠组即被取消,F盘所有的文件即
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548 04-17
从电工学中知道,若给三相固定的对称绕组A、B、C通以平衡的三相正弦交流电流Ia、Ib、Ic时,即产生转速为w0的旋转磁场F,三相电流的合成磁势为E1,其相位与合成电流I1一致,均超前F一个相位角e,同样以在图中,如把三相合成电流I1投影到磁通方向的轴上得Im,I1投影到与F正交的T轴上得I2。这一个新的直角坐标系T-F是按w0转速旋转的,此时Im、I2与直流电机中的功能完全
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163 09-30
Ramtron International Corporation扩展其符合Grade 1 AEC-Q100 规范的汽车存储器产品系列,新增一款4Kb F-RAM存储器,使其符合125℃ 应用的产品增至五款FM25040A-GA 是4Kb、5V F-RAM,具有高速串行外设接口 (SPI),并合乎125℃ 工作规范要求,保证在极端温度条件下可保持数据达9,000小时。 在严苛的数据收集应用中,F-RAM
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812 08-10
现在很多汽车电子应用都需要极快速、极可靠、极长工作寿命的存储器,同时对容量的要求又不高,F-RAM是最合适的选择,因为EEPROM太慢,MRAM尽管也很快,但它极易
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659 08-10
RamtronInternationalCorporation宣布其新的并口和串口F-RAM系列增添两款产品,这些F-RAM器件提供高速读/写性能、低电压工作和可选器件特性。Ramtron的V系列F-RAM产品之最新型款为512KbFM24V05和1MbFM24V10,是2.0V至3.6V的串口非易失性RAM,采用8脚SOIC封装,使用双线(I2C)协议。
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879 08-10
现在很多汽车电子应用都需要极快速、极可靠、极长工作寿命的存储器,同时对容量的要求又不高,F-RAM是最合适的选择,因为EEPROM太慢,MRAM尽管也很快,但它极易受到磁性干扰,因此它不可能用在工作环境非常恶劣的汽车里
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652 08-10
这些石英晶体包括SSP-T7-F(7×1.5×1.4mm)、VT-200-F(2×6mm)、SP-T2A-F(8.7×3.7×2.5mm)和NC-T3(3.2×1.2×1.1mm),符合RoHS规范,具有优良的抗震和抗热性能
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356 08-10
HOLTEK半导体推出了极低功耗R-F型微控制器---HT47C06L,HT47C06L的工作电压为1.2V~2.2V、ROM为1k*16、RAM为32Bytes、I/O最多为8埠、LCD最多可驱动39点、提供一组16bits计时计数器与单一通道的R-F转换器。HT47C06L的R-F功能为经由电阻到频率的转换,可应用于电阻值量测,并进而执行控制动
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327 08-10
世界领先的非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation (简称Ramtron)宣布,现已提供可与飞思卡尔半导体公司广受欢迎的Tower System开发平台共用的全新F-RAM存储器模块(TWR-FRAM)。TWR-FRAM使用了Ramtron F-RAM核心存储器和集成产品的超级集合(superset
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297 08-10
本电路使用的A-8402V/F变换器组件,其线性为±0.05%,最高转换频率高过500KHZ,用以驱动光电隔离器的发光二极管.另一只A-8402V/F组件,把光电隔离器的输出,变换为成比例的直流电压.所用电源为12V,也可以采用5~18V.如图所示A-840V/F变换组件 可达500kHs带宽的光电隔离电路图。
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217 04-10
【IT168 资讯】佳能EF 35mm f/2 IS USM将要更新,近日外媒公布了佳能Canon EF 35mm f/2 IS II USM镜头专利。佳能Canon EF 35mm f/2 I
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206 06-27