【新品播报】A8400

【用　途】 变换器电路 【性能 参数】V-F和F-V变换器,双极结构,电源电压=15V,最大功耗=0.24W,输出频率范围=0～1MHz,非线性度误差=0.005%

【技术资讯】12月13日存储行情

DXI为2,610.83,下跌1.56(0.06%)台湾市场：今日的DRAM现货市场，DDRII整体价格持续缓缓下跌，市场动能不佳；而在DDRI的部份，现货供应不充裕，价格小幅度上扬，有些许的成交量。512Mb(64M*8)667MHz主流颗粒均价格约落在USD0.92。在uTT(eTT)DDR264M*8的部份，买气疲弱，需求未能延续，价格向下调整至USD0.77左右，交易量有限；而在uTT(eTT)DDR2128*8/800MHz的部份，价格小幅度下跌至USD1.73，无明显的交易量。在NANDFLASH的现货部

【电路图】F-2011型立体声电唱机电路图

F-2011型立体声电唱机

【新品播报】AD650

【用　途】 变换器电路 【性能 参数】V-F和F-V变换器,双极结构,电源电压=15V,最大功耗=0.24W,输出频率范围=0～1MHz,非线性度误差=0.005%

【电路图】F-V变换电路原理图

　　如图所示F-V变换电路原理图

【新品播报】FM14C88 F-RAM并口储存器（Ramtron）

RamtronInternationalCorporation推出并口F-RAM存储器FM14C88，适合RAID(磁碟阵列)存储服务器及主机总线适配卡(HBAcard)等应用。

【解决方案】V/f模式是什么意思？

V与f的比例关系是考虑了电机特性而预先决定的，通常在控制器的存储装置(ROM)中存有几种特性，可以用开关或标度盘进行选择。

【技术资讯】Ramtron推出1Mb并行F-RAM FM28V100

RamtronInternationalCorporation宣布推出全新并行和串行F-RAM系列中的首款并行产品，提供更高速的读/写性能、更低的工作电压和可选器件的特性。Ramtron的V系列F-RAM产品中的最新器件FM28V100，是1兆位(Mb)、2.0至3.6V的并行非易失性RAM，采用32脚TSOP-I封装，具备快速访问、无延迟(NoDelay)写入、几乎无限的读写次数和低功耗特性

【技术资讯】RAMTRON推出F-RAM存储器FM22LD16

RamtronInternationalCorporation宣布提供采用最新FBGA封装的4兆位(Mb)F-RAM存储器。此外，Ramtron亦提供采用44脚TSOP封装的4Mb并口F-RAM产品。产品特点F

【技术资讯】爱立信CDU-G、CDU-F精解

爱立信CDU-G、CDU-F精解 CDU是合并与分配单元，是收发信机（TRU）和天线系统之间的接口。CDU可以让多个TRU共享天线。

【电路图】用CD4024的V-F变换电路

【解决方案】NS超声波流量计解决方案

avoidingcontactwiththeliquid.Forportableflow-meterapplications,Nationaloffersavarietyoflow-powerconsumptionandsmall-f