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世界领先的非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation (简称Ramtron)宣布,现已提供可与飞思卡尔半导体公司广受欢迎的Tower System开发平台共用的全新F-RAM存储器模块(TWR-FRAM)。TWR-FRAM使用了Ramtron F-RAM核心存储器和集成产品的超级集合 (superset)
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337 08-10
世界领先的低功耗铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation (简称Ramtron) 宣布,其V系列产品线新增两款通过严格的AEC-Q100 Grade 3汽车等级认证的串口F-RAM器件。这两款产品的型号为FM24V01-G和FM25V01-G,是128 千位 (Kb)、高性能非易失性F-RAM存储器,在2.0至
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329 08-10
Ramtron推出串口F-RAM存储器FM25L16-GA,进一步扩大其符合AEC-Q100汽车标准要求的F-RAM存储器系列阵容。FM25L16-GA是16Kb串口F-RAM存储器,可在-40°C至+125°C的Grade 1汽车温度范围工作,是Ramtron不断增长的符合Grade 1和Grade 3 AEC-Q100标准的汽车存储器产品的新成员
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965 08-10
rs232电平是-10v+10v,而一般的单片机应用系统的信号电压是ttl电平0+5v,max232就是用来进行电平转换的,该器件包含2驱动器、2接收器和一个电压发生器电路提供TIA/EIA-232-F电平该器件符合TIA/EIA-232-F标准,每一个接收器将TIA/EIA-232-F电平转换成5-VTTL/CMOS电平。每一个发送器将TTL/CMOS电平转换成TIA/EIA-232-F电平。主要
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2146 08-10
“HSC系列”设计用来提供行业领先的±1%总误差范围规格,在0°C至50°C[32°F至122°F]的温度范围内进行了温度补偿。“SSC系列”设计用来提供±2%总误差范围规格,在更宽的20°C至85°C[-4°F至185°F]的温度范围内进行了温度补偿。
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636 08-10
1、V/F控制和向量控制有什么异同,我应该选哪个控制方式?2、输出频率下限设为多少合适?答:1、V/F控制和向量控制有什么异同,我应该选哪个控制方式?------从应用效果看,矢量控制比V/F控制的低频特性要好,保护功能多,机械特性好、调速精度高。2、输出频率下限设为多少合适?------由被控制的设备的特性有关。如风机水泵,当频率低于一个值后,设备的运行意义就不大了, V/f控制是变频调速最简单
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302 08-10
本教程分享win7系统取消折叠组的详细步骤,很多用户说电脑F盘上的所有文件折叠也一个组了,想要取消折叠组,但是不知道取消折叠组。其实win7系统取消折叠组的步骤很简单,下面一起来看下解决方法吧。 解决方法如下: 1、文件夹的折叠组;现在要把这折叠组取消; 2、光标在F盘菜单栏上顺序点击:查看-分组依据; 3、在“分组依据”下拉的菜单中点“无”; 4、F盘的折叠组即被取消,F盘所有的文件即
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548 04-17
从电工学中知道,若给三相固定的对称绕组A、B、C通以平衡的三相正弦交流电流Ia、Ib、Ic时,即产生转速为w0的旋转磁场F,三相电流的合成磁势为E1,其相位与合成电流I1一致,均超前F一个相位角e,同样以在图中,如把三相合成电流I1投影到磁通方向的轴上得Im,I1投影到与F正交的T轴上得I2。这一个新的直角坐标系T-F是按w0转速旋转的,此时Im、I2与直流电机中的功能完全
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162 09-30