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如图4-13(a)所示,选择电压、电流的参考方向关联。设电感线圈中电流则电感元件的电压为上式中令上式中的称为电感的电抗,简称感抗,单位是欧姆,用Ω表示。称为复感抗。但感抗对电流的阻碍作用在本质上与电阻不同,电阻与电源频率无关,感抗与电源的频率成正比,即f越高越大,阻碍电流通过的能力就越强,电流越不容易通过,当时,,这时电感相当于开路
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223 09-30
检查5V振荡电路Ql00的供电,发现不到10V(正常应为11V),查前级R602阻值为10Ω,D603、C09(22μF/50V)基本正常,判断此电路是因天冷导致启动困难。更改:短路电阻R602.将C09加大为47p,F/50V或100μF/51V,机器恢复正常。分析:此故障测量C09输出供电是否大于10V是关键,低于10V为
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525 08-10
首先测场块TDA8174A供电脚,⑩脚为23V,②脚为22.3V,手摸24V电源滤波电容C636,C642(均为470μF/35V),18V电源滤波电容C637(470μF/35V),8V电源滤波电容C643、C645(均为lOOOμF/25V)均感觉烫手,局部电
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500 08-10
非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation扩展其符合Grade 1 AEC-Q100 规范的汽车存储器产品系列,新增一款4Kb F-RAM存储器,使其符合125℃应用的产品增至五款。FM25040A-GA 是4Kb、5V F-RAM,具有高速串行外设接口(SPI),并合乎125℃工作规范要求,保证在极端温
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114 06-20
全球领先的非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布扩展其+125℃汽车F-RAM存储器产品线阵容,FM25L04-GA这款3V、4Kb并具有串行外设接口(SPI)的F-RAM器件现符合Grade 1 AEC-Q100的规范要求,可在-40℃至+125℃的汽车工作温度范围内工作,并确保在极端温度条件下
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177 06-20
Altium推出采用AlteraCycloneIIIFPGA的NanoBoard3000继去年9月发布基于NanoBoard3000的快速原型设计全新方案后,Altium日前又宣布推出采用AlteraCycloneIII®FPGA的最新NanoBoard3000,从而进一步扩展了这一理念。新的开发板为电子设计人员继续提供相同的软硬件以及NanoBoard3000可以直接使用的免专利费IP,所不同的是,在其内核中提供了具有Altera高性价比CycloneIII®FPGA电源。电子设计人员采用NanoBoard3000,可获得高级
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506 08-10
〈一〉流程: 磨板→贴膜→曝光→显影一、磨板 1、表面处理除去铜表面氧化物及其它污染物。 a.硫酸槽配制H2SO41-3%(V/V)。 b.酸洗不低于10S。 2、测试磨痕宽度控制范围10-15mm,磨痕超过15mm会出现椭圆孔或孔口边沿无铜,一般控制10-12mm为宜。 3、水磨试验每日测试水膜破裂时
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658 08-10
在双模中使用NE556定时器,并且为了线性电压频率转换该电路与运算放大器和场效应管相结合。线性电压频率转换带有0.1赫兹到100兆赫的输出范围。操作频率是0.91/2RC,其中R是FET电阻。
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545 08-10