【技术资讯】Altera Quartus II软件11.1版支持Arria V和Cyclone V FPGA并提高效能

这一新版软件扩展了Altera 28-nm FPGA支持，包括对Arria® V和Cyclone® V FPGA的编译支持，还增强了对Stratix® V FPGA的支持。

【技术资讯】高斯贝尔GSR-988卫星接收机开机后，无13 V、18 V电压

　　出现此故障的原因及检修方法有：(1)电源电路R839(12kΩ)不良。更换R839；(2)电源电路R836(27kQ)不良。更换R836；(3)电源电路R87(1kQ)不良。更换R837；(4)电源电路Q805(2SC1815Y)不良。更换Q805；(5)电源电路R834不良。更换R834；(6)电源电路R833不良。更换R833；(7)电源电路L804开路。

【新品播报】采用Arria V 和Cyclone V FPGA 解决复杂的数字信号处理问题

本文档主要介绍Altera 新的Arria V 和Cyclone V FPGA 精度可调数字信号处理(DSP) 体系结构的优点。

【技术资讯】锌市将现倒“V”走势

一、精锌供求分析1.全球精锌供需缺口逐步消失国际铅锌研究小组（ILZSG）公布的数据显示，2007年1—10月全球锌市短缺5.1万吨，去年同期市场缺口达44万吨，过去三年里每年供应缺口都在30万吨以上。2007年11月、12月冬季是精锌消费淡季，而生产仍呈惯性增长，因此预计2007年全球精锌产量将达到1130万吨，比2006年增长7.4%；消费将达到1125万吨，同比增长1.9%，全球供需在2007年基本保持平衡。但是由于供应高速增长仍将持续，并且远

【电路图】AD 651F/V转换电路图

用AD 651组成F/V转换器的电路如图所示。　　AD651 F/V转换电路

【新品播报】30 V N沟道功率MOSFET

on semiconductor扩充n沟道功率mosfet器件阵容，新推出带集成肖特基二极管的30 v产品。ntmfs4897nf、ntmfs4898nf及ntmfs4899nf在10 v时分别拥有2 毫欧(mΩ)、3 mΩ及5 mΩ的最大导通阻抗(rds(on))值，针对降压转换器应用中的同步端而优化典型门电荷(在4.5 v门极-源极电压(

【技术资讯】由USB端口便携式供应产生5 V和+3.3 V电源由USB端

Abstract:AportabledeviceusingthecircuitofFigure1derivespowerfromtheUSBbus.TheMAX1811usesUSBpowerchargesalithium-ion(Li+)batteryat,USBcompatible,100mAor500mArates.BatterypoweristhensteppedupwiththeMAX1747tocreatethe5Vsupplyrail.The5VsupplyrailisthensteppeddownwiththeMAX1837tocreatethe3.3Vsupplyrail.ThecircuitincludesalowbatteryshutdowntoprotecttheLi+batteryandoffersaconvenientchargingLED.TheFigure1

【技术资讯】日立数据Thunder9500 V系列

日立数据系统有限公司继续推进其TrueNorth™远景战略，今日宣布推出存储容量大、体积却很小的HitachiFreedomStorage™Thunder9500™V系列存储系统

【电路图】V/F变换器电路图

V/F变换器电路图

【解决方案】ADIAD5751I/V输出驱动方案

TheAD5751targetsapplicationsinPLCandindustrialprocesscontrol.TheanaloginputtotheAD5751isprovidedfromalowvoltage,singlesupplydigital-to-analogconverterandisinternallyconditionedtoprovidethedesiredoutputcurrent/voltagerange.Theoutputcurrentrangeisprogrammableacrossthreecurrentranges-4–20mA,0–20mAor0–24mA.Voltageoutputisprovidedfromaseparatepinthatcanbeconfiguredtoprovide0Vto5V,0Vto10Vand0-40Voutp

【电路图】HA998(V)P／TD型电话机

【新品播报】V-MOS的特性与用途

1.V-MOS场效应管的结构　　　　V-MOS场效应管的结构如图所示。它是在N+衬底上的N-外延层上,先后进行P-型区和N+型区两次选择扩散，然后利用硅的各向异性刻蚀技术，刻蚀出V形槽。漏极从芯片的背面引出，源极及栅极在V形槽的两个臂上制成。