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世界领先的低功耗铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation (简称Ramtron)宣布，现已在IBM的新生产线上广泛制造其最新铁电随机存取存储器(F-RAM) 产品的样片。该新产品FM24C64C是65千位(Kb)、5V串口F-RAM器件，以总线速率运行且无写入延迟，并支持高达1万亿次 (1e12)的读/写循环，这

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323 08-10

　　世界领先的低功耗铁电存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation(简称Ramtron)宣布，现在已经可广泛提供在新IBM公司生产线上制造的首批预验证铁电存储器(F-RAM)样片。FM24C04C和FM24C16C是位密度分别为4kbit和16kbit的串行5V F-RAM产品，这些器件可为电子系统提供高性能非易失性数据采集

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251 08-10

【新品播报】Ramtron推出新款Grade 1汽车用4Kb F-RAM

非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation扩展其符合Grade 1 AEC-Q100 规范的汽车存储器产品系列，新增一款4Kb F-RAM存储器，使其符合125℃应用的产品增至五款。FM25040A-GA 是4Kb、5V F-RAM，具有高速串行外设接口(SPI)，并合乎125℃工作规范要求，保证在极端温

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155 06-20

【解决方案】他励直流发电机的特性 -解决方案-华强电子网

一、开路特性 U0 = f ( If )定义：当n =常数，I=0时, 改变励磁电流，电枢端电压U0 随励磁电流If 变化的关系。U0=Ea-IaRa-2ΔUs=Ea=CeΦn If= Ff / N 结论：经过一定比例转换后，开路特性U0=f(If)曲线与电机的磁化曲线(Magnetization curve) Φ=f(Ff)形状完全相同

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941 10-01

【技术资讯】长虹彩电29E8解童锁

解童锁: 同时按F键＋静音键

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323 08-10

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