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(NYSE股市代码:VSH)宣布推出面向主端滤波缓冲器应用且电容范围介于68µF~820µF的新系列铝电解电容器。这些电容器的容差为20%,在+85
关键词:
214 08-10
由电位器的V / F转换器设置为较低的频率。被选中的频率是由数字输入。“1”选择的上限频率和“0”选择较低的频率。TC9400,F / V模式,转换成数字格式的数字频率信号。
关键词:
1867 08-10
进一步检查发现,电源滤波电容C2(4μF)的容量已经降到0.8μF左右。更换C2后通电,机器正常工作。
关键词:
3082 08-10
检查滤波电容(MKP,5μF)及谐振电容(MKPH,0.27μF)均无异常。试替换加热线盘后故障排除。
关键词:
760 08-10
世界领先的低功耗铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation (简称Ramtron)宣布,现已在IBM的新生产线上广泛制造其最新铁电随机存取存储器(F-RAM) 产品的样片。该新产品FM24C64C是65千位(Kb)、5V串口F-RAM器件,以总线速率运行且无写入延迟,并支持高达1万亿次 (1e12)的读/写循环,这
关键词:
323 08-10
世界领先的低功耗铁电存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation(简称Ramtron)宣布,现在已经可广泛提供在新IBM公司生产线上制造的首批预验证铁电存储器(F-RAM)样片。FM24C04C和FM24C16C是位密度分别为4kbit和16kbit的串行5V F-RAM产品,这些器件可为电子系统提供高性能非易失性数据采集
关键词:
251 08-10
非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation扩展其符合Grade 1 AEC-Q100 规范的汽车存储器产品系列,新增一款4Kb F-RAM存储器,使其符合125℃应用的产品增至五款。FM25040A-GA 是4Kb、5V F-RAM,具有高速串行外设接口(SPI),并合乎125℃工作规范要求,保证在极端温
关键词:
155 06-20
一、开路特性 U0 = f ( If )定义:当n =常数,I=0时, 改变励磁电流,电枢端电压U0 随励磁电流If 变化的关系。U0=Ea-IaRa-2ΔUs=Ea=CeΦn If= Ff / N 结论:经过一定比例转换后,开路特性U0=f(If)曲线与电机的磁化曲线(Magnetization curve) Φ=f(Ff)形状完全相同
关键词:
941 10-01