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【新品播报】NEC试制出GaN半导体功率晶体管

据日经bp社报道，日本nec公司日前面向准毫米波频带（30ghz）试制出了gan系半导体功率晶体管，最大功率约为以前的3倍，实现了2.3w的功率放大。

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246 08-10
【新品播报】飞兆发布消耗电流降至33μA的LED驱动IC

　　【日经BP社报道】美国飞兆半导体(Fairchild Semiconductor)发布了消耗电流降至33μA的LED驱动IC“FAN5645”。

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200 08-10
【技术资讯】【FPD】韩国三星SDI展出厚0.37mm的有机EL面板

　　【日经BP社报道】　韩国三星SDI参考展出了厚度为0.37mm的2.4英寸有机EL面板。形成有TFT的玻璃底板厚0.05mm，有机EL元件的封装采用了透明薄膜。

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319 08-10
【技术资讯】美国调查公司：2011年液晶面板LED背照灯销售额将达到10亿美元

　　【日经BP社报道】美国麦克劳克林咨询集团(Mclaughlin Consulting Group,MCG)预测：笔记本电脑、显示器、电视机等的液晶面板所使用的大尺寸发光二极管（LED）背照灯的销售额

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219 08-10
【技术资讯】日本TI新款时钟发生器IC 用于相位噪音仅3

【日经BP社报道】图1：CDCE421的评测板卡图2：CDCE949的评测板卡　　日本德州仪器（日本TI）发布了两种新型时钟发生器IC。

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828 08-10
【技术资讯】尔必达发布全球首款铜布线DDR3-2500 SDRAM

据日经BP社报道，尔必达已经成功开发出全球首颗传输率达到2.5Gbps（DDR3-2500）的DDR3 SDRAM,存储容量为1Gbit。通过采用铜布线技术以及设计上的优化实现了高速存取。

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426 08-10
【技术资讯】尔必达公布06全财年预测销售额增至上年两倍

据日经BP社网站报道，尔必达内存公布了2006财年（2006年4月～2007年3月）全年业绩预测。预计销售额增至上财年的2倍以上，达到4900亿日元。

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260 08-10
【技术资讯】XSiL公司将上市用于超薄硅晶圆的激光切割机

据日经BP社报道，来自爱尔兰的XSiL公司在SEMICON West 2007（7月16日～20日，美国旧金山）举行的同时，上市硅晶圆专用的激光切割机。

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916 08-10
【技术资讯】海力士开发出层叠24层NAND型闪存多芯片封装

据日经BP社报道，韩国海力士半导体（Hynix Semiconductor）开发出了层叠24层25μm厚的NAND型闪存MCP（多芯片封装），总厚度仅为1.4mm。

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543 08-10
【技术资讯】美国研究小组试制出非极性面GaN衬底可提高GaN器件的特性

据日经BP社报道，美国Kyma Technologies与美国北卡罗来纳州立大学的研究小组从c面GaN底板上切下m面，使其再生长，试制出了m面GaN衬底。

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618 08-10
【技术资讯】AKT重新涉足TFT液晶溅镀装置业务力争2010年份额达50

据日经BP社报道，TFT液晶面板用CVD装置的第一大厂AKT将重新涉足的TFT液晶用溅镀装置业务，该公司总裁姜仁斗（I.D. Kang）公布了“力争2010年份额达到50％”的目标。

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396 08-10
【技术资讯】NEC电子扩充功率半导体产能 08年将增至1.4倍

据日经BP社报道，日本国内LSI厂商纷纷开始增产功率半导体。继东芝之后，NEC电子也将扩充功率半导体的产能。

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442 08-10

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